路透社在阿姆斯特丹报道说，飞利浦电子日前宣布了一种碲锑化合物，可以用来制造新一代的高性能半导体存储器。这种化合物只需极微弱的电压就可以改变开、关状态，也即代表了存储器中1和0。而且，在外部施加的电压撤除后，这种状态还能得到维持，直至再一次施加电压，这个特性和我们在数码相机和MP3播放器中所使用的闪速存储器相似。

与现有的闪存技术不同的是，这种材料改变状态的速度非常快，如果将它制成新一代存储器，会比现有的闪存擦写速度快100至200倍。在某些对速度要求不高的场合甚至可以代替DRAM。

现今的半导体业界正在苦苦寻觅存储器的“圣杯”，它的出现可以代替现今所有类型的存储器，既具备DRAM的高密度和廉价，又有SRAM的超快速度，同时又像闪存一样具备非易失性。目前在这个领域内跋涉的领军人物是IBM和INTEL，现在飞利浦电子凭借它的新发现也加入到寻找圣杯的竞赛中。