Inquirer报道，德国半导体巨人Infineon日前声称，其已经研制出了一款采用20nm制程的易失性闪存。比人类的头发还细5000倍。

根据Infineon公司，随着对该技术的不断深入研究，最终将会使得易失性存储芯片在几年内达到32Gbit。研究人员通过将一种“鳍”型晶体管采用三维结构存放，以制成该芯片。这一结构能够收到意想不到的效果并且能够得到更好的电气控制。

FinFET(Fin field effect tranistors)将电子存储在氮化物层中，以隔离硅层和门电极。该“鳍”型晶体管只有大约8nm厚，通过一个20nm的门电极来控制。

Infineon宣称，目前的类似存储技术需要使用1000个电子才能可靠的存储1位信息，但是FinFET则只需使用100个电子。