科技日报讯：ST宣布，开始量产采用VFBGA55封装的256Mbit “小型页面（Small Page）” NAND型闪存芯片。新组件采用薄型8 x 10mm球栅阵列封装，能让制造商在照相手机、智能电话、低成本数字相机、PDA、USB相机存储卡，以及其它受到体积限制的可携式产品中增加更多内存容量。

新产品厚度仅1mm，能与其它NAND型闪存兼容，可节省20%的电路板使用面积。NAND256是ST NAND型闪存系列的新产品，这一系列产品包含了128Mbit、256 Mbit、512 Mbit、与1Gbit等版本，运行电压为1.8V~3.0V。新组件提供超快速数据传输率与擦除能力，并具有手机、PDA与其它可携式设备所需要的低功耗编程与低电压操作特性。该组件采用先进的120nm制程技术，其超小型内存单元尺寸能大幅降低成本。