韩国SK海力士今天宣布，已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，这也是当今最先进的闪存制造工艺。

其实早在今年六月，海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存，最近投产的则是第二版，芯片尺寸更小，更具竞争力。

此外，海力士还根据16nm 64Gb闪存的规范和耐久性，成功研发了128Gb(16GB)容量版本，存储密度世界最高，计划明年初投入量产。

海力士指出，通常情况下，NAND闪存工艺越先进，单元之间的 干扰就越严重，但是他们引入了最新的Air-Gap技术来克服这种干扰，主要是将电路之间用于绝缘的基底换成了真空孔。

海力士最后称，将继续加速研发TLC NAND、3D NAND闪存技术。