东芝今天宣布推出最新的嵌入式NAND闪存模块，采用东芝第二代19nm工艺制造，并完全符合JEDEC组织九月份最新公布的eMMC 5.0标准规范，可用于智能手机、平板机、DV录像机等众多电子设备。

东芝这种新的eMMC存储模块采用153 Ball FBGA封装，体积只有13×11.5×0.8-1毫米，比之前减小22％，单芯片整合独立主控制器、多颗闪存颗粒并支持写入区块管理、错误纠正、整合驱动，采用HS-MMC高速接口，容量方面首批推出16GB、32GB(内部分别两颗、四颗64Gb(8GB)颗粒)，后续再增加4GB、8GB、64GB、128GB。

性能方面，16GB、32GB HS400模式下的持续读取速度可达270MB/s，比传统产品提速64％，持续写入则分别有50MB/s、90MB/s，提速幅度也有38％、25％。

这玩意儿放到手机里，那将是何等爽快。

东芝表示，16GB(THGBMBG7D2KBAIL)、32GB(THGBMBG8D4KBAIR)型号将在11月底投入量产并出货，其它型号日程待定。

今年7月底，三星电子就宣布开始量产符合eMMC 5.0标准的eMMC PRO嵌入式闪存，容量16-64GB，持续读写速度最高250MB/s、90MB/s，随机读写最高7000 IOPS。