芯片专家ChipWorks近日拿到了三星Galaxy Note 3，而且有AT&T LTE版本和3G通用版本两款。二者外表看上去没啥不一样，但内部大为不同(如果能加上双卡版就完美了)。

LTE版

3G版

初步拆解后可以看到，零部件和主板布局也是大同小异，但到了芯片层次上就迥异了。

LTE版零部件

3G版零部件

LTE版主板正面

3G版主板正面

LTE版主板背面

3G版主板背面

LTE版的处理器是高通骁龙800 MSM8974，四核心，2.3GHz，3G版则是三星自己的Exynos 5420 1.9GHz八核心，二者都隐藏在三星LPDDR3 3GB内存之下，PoP封装。

可以发现，Exynos PoP芯片周围的互连焊球更多，右侧和上方都是三行，显然与内存的联系需要更多“通道”。

LTE版处理器

3G版处理器

以下是两个版本的详细规格对比表，很明显LTE版是高通的天下，3G版则是“大杂烩”。

MSM8974 ARAGORN2内核照片

MSM8974 ARAGORN2内核标记

IMX135是索尼最新的手机图像传感芯片，将传感器堆叠到了图像处理器之上，通过TSV硅穿孔技术连通，更加紧凑。

IMX135内核照片和TSV通道

IMX135 TSV硅穿孔侧视图

Cypress Capsense CY8C20055按钮控制器

Cypress Capsense CY8C20055按钮控制器近照

Avago ACPM-7600前端模块

Murata SWUA天线切换模块

the Murata SWUA模块Peregrine C9941芯片内核照片

Peregrine C9941内核标记