TurboWrite写入加速技术：划出一片缓冲器用TLC模拟SLC处理读写操作，主控空闲的时候再将数据传给固态硬盘

五种型号的缓冲区容量分别为3GB、3GB、6GB、9GB、12GB，实际占用的TLC闪存容量要乘3；三星认为，3GB已经足够应付一般使用了

持续写入速度的确暴涨，尤其是120GB

TurboWrite缓冲区容量有限，耗尽了性能自然会跌回去，但即便这时也要比840快个10-20MB/s(500GB的干吗不公开)

随机读取性能也因为主控提速等改进而大幅提升，达到了10000 IOPS

随机性能全面对比

动态散热保护

安全加密技术

三星固态硬盘配套工具Magician也同步升级到4.2版本，新增加了一个“快速模式”(RAPID Mode)，看样子似乎是拿系统内存做缓存来提高读写速度。

持续读取提升最猛，几乎翻番而达到了1GB/s

CrystalDiskMark对比测试提升也很厉害