三星电子宣布，已于本月起开始量产1xnm工艺的128Gb(16GB) TLC NAND闪存颗粒，将成为大容量固态硬盘、存储卡的上佳之选。

TLC闪存采用了3bpc的设计方式，即每单元3个存储比特位，相比之下MLC、SLC分别是2bpc、1bpc。从成本上讲TLC比后两者廉价得多，非常适合入门级存储产品，但是可靠性和耐久性也相对差不少，使用年限没那么久。

该闪存的性能也不赖，Toggle DDR 2.0接口模式下数据传输率可达400Mbps，也就是50MB/s。工艺只说是10nm级别，没有更具体的数值，这也是三星的老规矩了。

三星透露会利用这种闪存发布新的128GB存储卡，可存储16部全高清电影，同时加大500GB以上容量的固态硬盘。这似乎在暗示840系列就会使用它们。

去年11月，三星量产了1xnm 64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，如今还不到五个月就把容量翻了一番，同时也增强了三星在3bpc TLC闪存方面的优势，此前的产品还是2010年的2xnm 64Gb(8GB)，就用在840系列固态硬盘中。