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老树开新花:OCZ Vertex 3闪存升级20nm
2013-02-20 11:39:32  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

虽然新的Vertex 4都发布了快一年了上代老兵Vertex 3却又焕发了新的活力,今起开始升级闪存颗粒,从25nm来到最新的20nm(初期还用过34nm),名字也改成了“Vertex 3.20”。

OCZ并没有明说新的20nm MLC NAND闪存来自哪里,但不出意外应该还是Intel与美光合作的IMFT,就是不知道是原装的还是OCZ自己封装的。

容量方面仍然是120GB、240GB、480GB,不过首发的只有前两款,480GB的要稍后才会推出(闪存供应不足吧)。

性能方面也稍有变化,主要是写入速度略微提高了一点,具体如下:

120GB:

持续读取最高:550MB/s
持续写入最高:520MB/s (旧版是500MB/s)
随机读取最高:20000IOPS
随机写入最高:40000IOPS
最大IOPS:9000

240GB:

持续读取最高:550MB/s
持续写入最高:520MB/s
随机读取最高:350000IOPS
随机写入最高:650000IOPS
最大IOPS:9000

其它规格看起来没变,还是SandForce SF-2200主控、SATA 6Gbps接口、2.5寸9.3毫米身段、原生支持TRIM、2.15W读写/0.55W待机功耗。 

老树开新花:OCZ Vertex 3闪存升级20nm

老树开新花:OCZ Vertex 3闪存升级20nm

老树开新花:OCZ Vertex 3闪存升级20nm

 

 

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