美光今天宣布推出新一代企业级固态硬盘“P400m”，和上代P400e一样采用自家产的25nm MLC闪存颗粒，不过读写速度有了明显提升。

P400m还是2.5寸标准规格和7.0毫米超薄厚度，重量不超过125克，容量依然有100GB、200GB、400GB三种版本，SATA 6Gbps接口，但性能较上代增强不少：最高持续读写速度可达350MB/s、300MB/s，最高随机读写速度可达55000 IOPS、17000 IOPS。——相比之下，P400e的持续写入最高只有140MB/s，随机读取则只有50000 IOPS。

200GB型号随机写入降至16000 IOPS，100GB型号持续写入降至210MB/s，随机读写降至50000、14000 IOPS。

P400m的主控和近期发布的消费级M500系列一样，使用了Marvell 88SS9187。可靠性上除了自行开发固件、200万小时平均故障间隔时间、1.75/3.5/7PB终身数据写入量、先进读写管理、数据路径保护、物理掉电保护，还特别支持“XPERT”(拓展性能与增强可靠性技术)，典型功耗低于7.5W。

M500系列的闪存已经进化到20nm，如此看起来，20nm闪存的可靠性仍然达不到企业级的要求。