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三星最新存储体技术
2004-09-21 10:58:00  出处:快科技 作者:Roby 编辑:Roby   点击可以复制本篇文章的标题和链接

来自theinquirer的消息:韩国Samsung公司宣布他们已成功开发了60nm 8GB存储容量的NAND闪存。这比起去年发布的70nm 4GB NAND闪存,体积上小了30%。而这意味着Samsung将能够开发出16GB存储容量的记忆卡,这将允许用户存储16小时的DVD视频或者将近4000个MP3音频文件。

Samsung同时称他们已经开发出一个80nm的2GB DDR2 RAM芯片,其采用了3D架构设计的RCAT技术和多门技术,20埃的超薄膜制程和3层电路。

这些技术将在明年被广泛使用,到是将会制造出8GB的内存模块。

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