三星最近发布的840 Pro、840系列固态硬盘都升级到了21nm工艺闪存，但面向主流市场的后者使用了可靠性和耐久性都稍差的TLC NAND闪存，引来了不少人的质疑。840 Pro已经被证明表现近乎完美，那么840又会如何呢？AnandTech已经拿到了840 250GB的样品，今天首先分享了部分测试数据，让大家一窥TLC NAND闪存究竟是个什么样子。

高负载平均数据率测试中，840 Pro遥遥领先其它产品，上代830也表现很不错，840就有些跟不上了，属于中游水平，比之840 Pro慢了大约四分之一。840一方面固件稍差一些，TLC NAND闪存更是“罪魁祸首”，其读取延迟影响不大，但是擦写循环时间长得多，导致写入延迟增加了50％。

低负载情况下因为更偏重读取，成绩就好多了，840仅次于840 Pro而位列第二。三星工程师也强调说，他们在840身上更注重读取性能，因为这更符合消费者的使用情况。这倒也有些道理。

详细评测稍后奉上。