2004年8月31日，北京讯――英特尔公司今天宣布在开发下一代芯片制造技术领域抵达重要里程碑。公司使用全球最先进的65纳米制程技术，成功制造出了包含有5亿多个晶体管、并具备全部功能的70 MB静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这一成就进一步扩展了英特尔每两年一次的全新制程开发工作，将推动摩尔定律继续向前发展。

采用全新65纳米（1纳米等于十亿分之一米）技术制造的晶体管栅极（打开和关闭晶体管的开关）的尺寸为35纳米，比前代采用90纳米技术的晶体管缩小了大约30%。经过对比，人体的一个红细胞中大约可以容纳100个这样的栅级。

全新制程的较小尺寸可以支持英特尔成倍增加芯片中的微型晶体管数量，从而为在未来推出多内核处理器和设计创新产品特性（包括虚拟化和安全能力）打下了坚实的基础。此外，英特尔的全新65纳米制程技术还包括多种独特节能和性能提升等特性。

英特尔技术与制造事业部高级副总裁兼总经理周尚林表示：“英特尔在新材料、制程与设备结构方面锐意创新，致力于满足日益严峻的晶体管数量扩展的挑战。英特尔的65纳米制程技术可带来业界领先的密度、性能与节能特性，进而可帮助制造出具备出色功能和性能的未来芯片。英特尔的65纳米制程技术计划于2005年正式投入使用，以进一步延伸摩尔定律的优势。”

2003年11月，英特尔宣布使用65纳米制程技术构建4 MB SRAM内存。时至今日，英特尔公司利用这一制程在110平方毫米的硅核上制造出了具备全部功能的70 MB SDRAM内存。小型SRAM单元支持在处理器中集成更大的高速缓存，这将可以进一步提高性能。每个SRAM内存单元将6个晶体管压缩到0.57平方微米的面积中。1,000万个这样的晶体管将可以置于只有1平方毫米的面积中，仅相当于一支圆珠笔笔尖的大小。

65纳米制程技术的全新节能特性

根据摩尔定律，芯片上的晶体管数量每隔两年便会大致增加一倍，进而可以带来更多特性、增强的产品性能和降低的每晶体管成本。随着晶体管尺寸的不断缩小，增加的功耗与散热量等问题随之而来。鉴于此，为了继续开展此开发工作，实施全新的特性、技术和结构就成为刻不容缓的要求。英特尔通过将节能特性集成到其65纳米制程中，成功解决了这些挑战。这些特性对于在未来提供节能计算与通信产品至关重要。

首次应用于90纳米制程技术中的英特尔尖端应变硅技术在65纳米制程技术上得到了进一步增强。第二代英特尔应变硅将晶体管性能提高了10％到15％，且丝毫没有加重泄漏问题。相反，与90纳米晶体管相比，这些晶体管可在正常情况下将泄漏减少为原来的四分之一。这样，采用英特尔65纳米制程的晶体管在丝毫没有加重泄漏的情况下显著提高了性能（较高的电流泄漏会导致更多热量产生）。

英特尔的65纳米晶体管将其栅极长度缩短为35纳米，栅极氧化物厚度为1.2纳米，从而可进一步提高性能和降低栅极电容。栅极电容的降低最终可以降低芯片的有效功率。此外，新制程还集成了八个铜互连层，并使用低介电常数材料来提高芯片中的信号速度和减少芯片功耗。

英特尔在其65纳米SRAM中还实施了睡眠晶体管。在闲置期间，睡眠晶体管会切断流向SRAM大内存块的电流，从而消除了导致芯片功耗的根源。这一特性更使电池供电设备（如笔记本电脑）大为受益。

周尚林先生表示：“英特尔致力于积极应对半导体行业所面临的功耗与散热挑战。我们利用一种整体方法，开发出了涵盖系统、芯片和技术、并包括65纳米技术创新的解决方案，而不仅仅是前代技术的延伸。”

英特尔的65纳米半导体设备由位于俄勒冈州Hillsboro的英特尔300毫米开发工厂（称为D1D）制造，同时该工厂也是这一创新制程的发明地。

有关英特尔65纳米制程技术的更多信息将于2004年12月12-15日在旧金山IEEE国际电子设备会议文件中发布。还可通过英特尔芯片展获得更多信息，网址http://www.intel.com/research/silicon。

英特尔是全球最大的芯片制造商，同时也是计算机、网络和通讯产品的领先制造商。如欲了解有关英特尔的更多信息，请访问：www.intel.com/pressroom。