日前于日本所举办的“日本 Rambus 开发者论坛 2004（Rambus Developer Forum Japan 2004）”中，由预备投产 Rambus 公司新型记忆体XDR DRAM的三家厂商所发表的最新量产计划，透露了 PS3 记忆体规格变更的可能性。

　　XDR DRAM是 Rambus 公司所提出的新一代记忆体规格，原称“Yellowstone”，是承继该公司先前 Rambus DRAM 设计路线的高速序列传输记忆体，运作速度为 2.4～6.4Gtps（Gtps：十亿次传输／秒），在使用 64 位元宽度的前端总线下，可达 19.2～51.2GBps 的记忆体频宽，比目前主流的双通道 DDR400 记忆体理论频宽高出 3～8 倍之多。

　　根据日本 PC Watch 网站专栏作家 后藤弘茂 的报导，预备投产Rambus公司新型记忆体“XDR DRAM”的三家厂商东芝、三星Elpida，于去年“Rambus 开发者论坛”所发表的量产计划中，原本是预定以单颗 512Mbit 的 XDR 记忆体晶片作为首波量产的规格，但今年所发表的新蓝图中，却改为以 256Mbit 的晶片作为首波量产。

　　由于Sony 发表将采用 XDR DRAM 作为 PS3 的记忆体，除外尚无其他大规模需求的市场，故一般认定 XDR DRAM 的量产计划一开始将以供应 PS3 所需为主要考量，所以该报导推测此次 XDR DRAM 量产计划的变更，反映了 PS3 记忆体系统规格的变动

　　该报导表示，先前来自业界的消息指出，PS3 原定采用 4 颗 3.2Gtps 512Mbit XDR DRAM 记忆体晶片，构成 64bit 宽度，频宽 25.6GBps，容量 256MB 的主记忆体系统，如今 256Mbit XDR DRAM 记忆体取代了 512Mbit 提前量产，代表了 PS3 的主记忆体系统将可能有以下两种变化：

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晶片类型 晶片数目 位宽 频宽 容量 成本

方案一 256Mbit 4 64bit 25.6GBps 128MB 低

方案二 256Mbit 8 128bit 51.2GBps 256MB 高

原方案 512Mbit 4 64bit 25.6GBps 256MB 中

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由于东芝今年与去年所发表的 XDR DRAM 记忆体潜在市场预估报表并无显着变化，表示东芝预期 XDR DRAM 的市场并不因为 256Mbit 记忆体晶片的抢先投产而有所减少，且 128MB 记忆体对於下一个世代的游戏机来说，前瞻性过低，故后藤弘茂推测总容量不变的“方案二”可能性较大，也就是说 PS3 的记忆体频宽将较原先所预估大一倍，而达到 51.2GBps 之多，附带一提，目前已发表的 PC 显示卡中记忆体频宽最高为 ATi X800 XT 的 35.8GBps。

　　同时该报导也由三记忆体厂商皆于 2005 年年中开始大规模量产 XDR DRAM 的时程，推测 PS3 也将于 2005 年年中量产，正式上市时间可能为 2005 年下半年到 2006 年上半年。

　　来自日本方面的速报表示，Sony 于7 月 12 日下午的“PlayStation Meeting 2004”中，宣布“下一代系统（Next System，本文暂称 PS3）”将於今年内正式发表，并预定於明年 E3 展出，究竟这些规格与上市时间的传闻是否确实，答案很快就会揭晓，有兴趣的玩家不妨注意相关报导。

（转载http://gnn.gamer.com.tw/5/15845.html ）