拆开固态硬盘，顶盖上有到热帖辅助闪存以及缓存芯片进行散热。

PCB正面可以看到5颗NAND闪存以及2颗缓存芯片。事实上PX-160,M3固态硬盘是在256GB的基础上精简了三颗NAND闪存而来，因此在PCB正面可以看到三颗空焊位。

东芝TH58TEG8D2HBA4C NAND芯片，25nm工艺制造，单个Die容量8GB，每颗芯片内部有4个Die，因此每颗闪存芯片总容量为32GB，共5颗组成160GB的容量。

两颗南亚易胜DDR3缓存芯片，编号为NT5CB128M16BP-CG，单颗容量256MB，两颗组成512MB的总缓存容量。

PCB背面仅有一颗Marvell主控芯片。

Marvell 88SS9174主控芯片，步进为B1，2011年第49周出厂。