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山雨欲来风满楼——芯片组技术催生DDRII
2004-06-28 21:08:00  出处:快科技 作者:moyang 编辑:moyang     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

记得去年的这个时候,我们还在讨论双通道技术给i865G的集成显卡带来的巨大性能提升,时隔一年,新的技术热点已然诞生,不过这次已经不是DDR了,而是明日之星DDRII。

随着Intel正式发布开发代号为Grantsdale的i915,以及其兄弟版本i925,新一轮的技术革新已然浮出了水面。面对DDR内存到达400MHz后的停滞不前,市场迫切的需要新的王者来引领技术发展的步伐,DDRII应运而生了。

从DDR200到DDR400,仅仅花了两年的时间,而DDR400问世至今一年有余,仍然没有看到更快的主流产品问世,这和DDR内存技术的“先天不足”是紧密联系的。采用TSOP封装的DDR内存,当速度达到400MHz以上时,良品率就开始下降,这导致400MHz以上的DDR内存根本无法成为市场主流,因此,各大芯片组厂商在推出支持DDR400的产品后就不约而同的止步不前,期待的,正是能够取代DDR迈向更高时钟频率的新的王者。

03年的下半年,内存厂商已经开始蠢蠢欲动了,各大厂商纷纷推出了自己的DDRII内存颗粒,世界内存模组的第一大厂商Kingston也在CeBIT Asia 2003上低调展出了自己的DDRII内存样条,只是当时还没有一款正式发布的支持DDRII内存的芯片组,因此也就没有办法进行规模化的测试和量产活动,终于到了今年3月,Intel率先打破了僵局。IDF 2004上,Intel展出了正式支持DDRII内存模组的i915和i925芯片组,全新的设计使得这款Prescott芯片的绝配正式的支持DDRII内存产品。尤其是i915G,在搭配了双通道的DDRII内存后,其集成显卡的性能已然能够匹配当今的主流的DX9显卡,实在令诸多用户兴奋不已。同时,VIA和SIS也纷纷推出了自己支持DDRII内存产品的PT890和SIS655芯片组。DDRII内存的正式出厂,在芯片组厂商大张旗鼓的动作下,已然越走越近。

就在4月初IDF闭幕不久,接踵而来的CeBIT Asia 2004上,Kingston也大张旗鼓的宣传了其最新的DDRII内存模组,虽然初期只是533MHz的产品,然而由于采用的是全新的技术,在新的芯片组不断推出的情况下,频率提升也只是时间问题了。

相比DDR内存而言,采用全新FBGA封装的DDRII的优势是显而易见的,以Kingston这次推出的DDRII内存来看,相比DDR已经在以下诸多方面体现了王者本色:

l 1.8伏工作电压,与DDR相比,能够降低50%耗电量,并产生更少的热量;

l 采用ODT技术避免反射信号传输错误;

l 提高内存性能及效率并可以改善时脉的极限值

由于优良的血统,DDRII内存正式应用以后,突破1G的时钟频率绝再不是天方夜谈,面对不断提升的CPU的FSB,DDRII必将成为未来高外频CPU的最佳拍档。

金士顿公司为很多系统提供多种类的内存产品。欲获知更多有关金士顿公司的DDRII产品的情况,请致电金士顿公司 800-810-1972(北京:010- 65888929)或访问公司网站www.kingston.com/china 或www.kingston.com.cn

金士顿科技公司简介:

金士顿公司是全球最大的内存模组产品的生产公司,生产基地分布於美国的加州、 亚洲的马来西亚、 台湾和中国大陆.。其中在美国的工厂还包括 Payton Technology Co. 这是一家半导体后段封装的公司,提供内存DRAM颗粒的封装、测试及后勤性的服务。 Payton Technology Co.的加入,使金士顿提供全盘内存制程的服务从收到半导体的晶圆片,到内存模组产品的完成。 金士顿遍布全球的服务网代理商、 OEMs、 系统整合商及零售厂商超过3000家.

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