PCB布局也和GTX 560 Ti相同，而且供电相数如出一辙，不过电感、电容以及Mosfet部分都进行了全面升级。

40nm的GF114核心。核心内集成19.5亿晶体管，拥有384个CUDA核心，64个纹理单元，32个光栅单元。公版卡默认核心频率为822MHz，这里稍微超频至835MHz。

海力士GDDR5 0.4ns显存颗粒，单颗容量128MB，正面8颗组成1024MB/256-bit的显存规格，4008MHz的等效频率也和公版完全一样。再加上核心频率相差不多，所以实际性能应该和公版卡基本一致。

核心供电主控来自安森美的NCP 5395T PWM芯片，最大可支持4路供电控制，同时具备供电动态容差技术，令电流持续稳定输入。

4相核心+1相显存的供电方案算是主流水平，不过既然GTX 560 Ti天宫号称“航天级”用料，显然不可能与普通的非公版处于一次层次，下面来具体看一下。

每相供电搭配一上一下两颗IR出品DirectFet封装的航天军工级Mosfet以及一颗驱动IC，采用铜金属封装，耐高温，在70A的输出电流下，其转换效率依然可以高达85%。由于没有引脚，DirectFET封装采用直接芯片粘贴，没有线压焊或者引线框，大大降低了封装感抗和封装阻抗。与SO-8相比，封装阻抗减少了90%以上，而封装电感也从SO-8时候的2nH减到了0.5nH，寄生效应明显减弱，这都为减少损耗提供了重要保证。

供电电感采用最研发的wave系列R30/R50铁素体电感，“波浪形”的造型可比传统电感增加散热面积20%以上，电感温度更低，保障效能稳定以及寿命更长久。

输入和输出端电容均来自三洋OSCON系列顶级固态电容，额定电压2V-35V，容量1μF -2700μF，ESR最低达7mΩ，分插装型和贴装型，耐热性更好，更易于调控。

DVI接口采用金属封闭防磁处理。

双6pin外接供电接口，在GTX 560 Ti显卡上比较常见，配合PCI-E共计可提供225W的供电能力，足以满足显卡在高负载以及超频状态下的需求。