Siliconstrategies报道，Rambus Inc日前宣布将在加州的San Jose平台会议展示首个运行1200MHz的RDRAM内存。除此之外，Rambus还演示了一系列内存方案的比较分析。分析显示RDRAM对于当前和未来高带宽PC是优秀的内存方案。

Rambus将演示一个运行RDRAM 1200内存的超频的PC系统。新的1200MHz RDRAM每通道数据传输率2为.4GB/s，系统总峰值带宽为4.8GB/S，在所有流行的测试中都获得了突出的性能和可靠的稳定性。RDRAM的蓝图显示未来RDRAM的1066MHz和1200MHz方案可以直接使用，无须改变RDRAM或其他设备的设计。

事实上，Rambus说当前显示的1200MHz RDRAM是由制造800MHz RDRAM的晶圆厂出品。Samsung业已宣布将下一代的RDRAM产品将包括1066MHz和1200MHz RDRAM内存模组。1200MHz RDRAM已经出样。

而Rambus表示公司的1066MHz RDRAM已经交样，而1200MHz RDRAM将于2003年问世。