台积电欧洲区总裁Maria Marced日前接受媒体采访时表示，芯片设计厂商对28nm工艺产品的热情度极高。目前仅台积电一家就有近90款产品正在开发当中，是当年40nm工艺准备期类似阶段产品数量的三倍以上。

Maria Marced表示：“智能手机和平板机是新的热门应用。我们在28nm工艺上看到了产品设计大爆发的局面，目前我们有89款28nm产品已经或即将流片。”根据她的估计，目前在全世界开发中的28nm产品中，台积电占有90%的份额。

她还表示，公司目前已经开始向部分客户出货28nm产品，“台积电在28nm工艺上有能力提供High-k金属栅极工艺和传统的多晶硅工艺，而下一代20nm产品预计在2012年下半年就会量产。”

另外，她还提到了Intel近期宣布的“3D晶体管”即FinFET技术。Intel今年年底就将量产使用3D晶体管的22nm工艺产品，而台积电计划要到14nm产品才使用类似技术。Maria Marced对此解释称，Intel之所以能够抢先试用FinFET技术，因为它是一家垂直集成化的企业，控制了从设计到制造到测试的各个环节。而台积电由于是一家代工企业，由客户提供产品设计，因此需要等待包括设计工具、知识产权等等的整个生态系统建立后，才能使用立体化的FinFET。“对于我们来说，20nm仍会是平面晶体管。”