三星电子今天宣布，公司已经开始生产全球首批高速toggle DDR 2.0接口MLC闪存芯片，容量为64Gb（8GB），使用20nm级工艺制造。

去年7月，三星东芝宣布共同推动Toggle DDR 2.0接口成为行业标准规范。新接口可以将闪存读写带宽提高到400Mbps，而DDR 1.0标准为133Mbps，普通SDR NAND闪存仅为40Mbps。

此次宣布的新闪存正是应用该接口的首批产品，主要针对高端智能手机、平板机和固态硬盘。三星高层表示，高速新接口的应用将让新的MLC闪存更好的满足4代智能手机、SATA 6Gbps固态硬盘以及USB 3.0产品的需求。