4相核心和2相显存供电都集中在PCB右侧，每相供电搭配一上两下三颗安森美SO-8FL封装低内阻MOSFET，电感则是台湾美磊贴片式铁素体电感，滤波电容来自日本化工以及部分三洋POSCAP（Hi-C）钽聚合物电容。

供电元器件特写。

核心供电PWM主控芯片来自安森美的NCP5395T，最高支持四相供电。

海力士GDDR5显存颗粒，64Mx32bit规格，单颗容量256MB

32Mx32bit规格，单颗容量为128MB

显存颗粒采用混编模式，PCB左上方四颗为32Mx32bit规格，单颗容量为256MB；右下方两颗为64Mx32bit规格，单颗容量为128MB；共计6颗，组成1024MB/192bit的显存规格。

金属全封闭EMI屏蔽罩，有利于稳定信号输出。

散热：

相比之前夸张的散热设计，这款散热器有了不小改变，客观来讲有所缩水。改成了发射式散热设计，散热器主体由纯铜底座+大量铝制散热鳍片构成，另外还搭载了两根8mm纯铜热管保证散热效率。

主散热器正面，4pin风扇，支持自动调速。

主散热器背面。

散热鳍片采用扣FIN工艺，排列齐整，做工细腻。