东芝美国电子元件公司(TAEC)今天宣布推出NAND闪存产品线的最新成员，采用下一代24nm新工艺制造的“SmartNAND”。

除了制造工艺从32nm升级为24nm，SmartNAND闪存还加入了一颗控制芯片，支持ECC错误校验功能，可减轻主控制器的负担，同时基本不改变协议。东芝称它能简化主控端的设计，可广泛用于便携式媒体播放器、平板机、数字电视、机顶盒和其他需要高密度非易失性存储的设备。

SmartNAND容量4GB、8GB、16GB、32GB、64GB，均有两种封装形式，分别是48-pin TSOP，尺寸20×12×1.2毫米，二是52-land PGA，尺寸18×14×1.0毫米，页面尺寸8KB，电压2.7-3.6V，在常规模式下是MLC(每单元2bit)，可靠模式下伪装成SLC。

SmartNAND闪存的各种不同容量和封装型号将于2011年5-9月开始试产，第二到第四季度投入量产。