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里程碑!新卡皇昂达GTX560Ti神戈揭秘
2011-03-16 19:00:22  作者:Lovexx 编辑:Lovexx     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

GTX560Ti上市不久,笔者就某论发烧友论坛上就看到了昂达GTX560Ti神戈的样卡。当时,我们就被其950MHz的核心频率、全钽聚合物电容和可搭载四风扇的模块化散热器所深深震撼。今天,笔者终于看到了这款显卡的实物,并有幸在第一时间对其进行测试。在测试过程中,其全球首创的六热管、模块化风扇和一如既往的全钽电容做工,给参与其中的每一个测试人员都留下了深刻的印象。对于一款显卡而言,高频率可以通过超频、特挑等手段进行模仿,但优越的做工和设计理念却绝对不可能被复制。今天,笔者就暂且为大家抛开频率,为大家讲讲昂达GTX560Ti神戈频率背后的故事。

里程碑!新卡皇昂达GTX560Ti神戈揭秘

为了让大家对昂达GTX560Ti神戈有一个直观的认识,让我们先来零距离观察一下这片显卡。

从芯片角度上看,Geforce GTX560Ti显卡使用的GF114,是NVIDIA精心打造的中高端旗舰,性能与功耗都非常平衡,特别是打开全部384个流处理器和ROP、TMU等单元之后,Geforce GTX560Ti显卡性能已经直线飙升到可以与高端显卡相对抗的级别。也正因为其巨大的潜质,我们才会对全钽聚合物电容、首创模块化四风扇设计的昂达GTX560Ti神戈的充满了期待。

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昂达GTX560Ti神戈

昂达GTX560Ti神戈显卡基于全新40nm工艺制造的显示核心,显示芯片的核心代号为GF114,该显卡拥有384个流处理器、32个光栅单元和64个纹理单元,同时标配256bit显存控制器,它能够完美支持DirectX 11 API和CUDA并行计算。

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全钽聚合物电容

在供电部分,我们看到了一直为玩家所激赏的全钽聚合物电容和贴片式设计,与GTX460神戈、GTS450神戈一脉相承。其输入部分为10颗美国KEMET的T491 100μF钽聚合物电容,它与MLCC陶瓷电容共同组成了12V输入端电容部分。另外在两个12V输入接口处还各有一个扼流线圈,用来辅助滤波。而黑色的钽聚合物电容为三洋的470μF POSCAP(也有厂商把它叫做Hi-c CAP)。与前者相比,它主要是用作输出端电容,正面、背面总计26颗。无论是POSCAP(HI-C)还是Kemet,其本质都是钽聚合物电容。这种电容的阳极是烧结钽,阴极是高导电性高分子聚合物。这种电容采用了导电性高分子材料,实现了更低的ESR及可靠性方面的改善,烧结钽充分发挥了钽的高介电系数特性,实现了小型电容器的大容量化。

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六热管、模块化散热器

在昂达GTX560Ti神戈诸多特点中,其独创的模块化、四风扇、六热管散热器无疑是玩家们关注的焦点。不过,限于篇幅,笔者决定将其独立成篇,进行专门的介绍。在此之前,今天笔者先为大家对该显卡的钽聚合物电容和供电进行一番解析。

坚守!将全钽聚合物电容进行到底

随便百度一下,阐述钽聚合物优越性的文章就有数万篇之多。在这里,笔者尽量以最为简短的文字,为大家再次介绍一下钽聚合物电容的优越性究竟在哪里。

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表面用聚氧树脂包裹而成的T491,俗称“黄钽”

拆除GTX560Ti神戈的散热器后,传统的固态电容已经不见了。输入部分为10颗美国KEMET的T491 100μF钽聚合物电容,它与MLCC陶瓷电容共同组成了12V输入端电容部分。另外在两个12V输入接口处还各有一个扼流线圈,用来辅助滤波。而黑色的钽聚合物电容为三洋的470μF POSCAP(也有厂商把它叫做Hi-c CAP)。与前者相比,它主要是用作输出端电容,正面、背面总计26颗。无论是POSCAP(HI-C)还是Kemet,其本质都是钽聚合物电容。这种电容的阳极是烧结钽,阴极是高导电性高分子聚合物。这种电容采用了导电性高分子材料,实现了更低的ESR及可靠性方面的改善,烧结钽充分发挥了钽的高介电系数特性,实现了小型电容器的大容量化。

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成排的”Hi-C“电容

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三洋官网上可以清楚地看到PosCAP系列电容实际上就是所谓的Hi-C

与普通固态电容相比,钽聚合物电容主要有五大优点:低ESR 和低阻抗、卓越的耐高温性、更长的寿命、出色的安全性、体积小。 由于电解质不含氧原子,发生短路时不易燃烧,具有更高的安全性。与同等容量的其它电容器相比阻抗为1/3~1/10,而且相比普通固态电容,钽聚合物电容的寿命最长可达150万小时,且不会出现电解液干涸导致电容无法工作的现象。最高可承受30A以上电流的冲击,其采用的高分子材料耐热性更高,达到无铅化回流焊的温度要求,相比同容量同耐压的其他电容,体积颗减小1/3-1/10。 从钽电容具备的这些优点来看,其规格品质确实要比固态电容高出不止一个档次。在目前国内大型显卡厂商中,推出全卡使用钽聚合物电容产品的,目前只有昂达。

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Kemet T491技术资料

具体到Kemet和POSCAP这两种钽聚合物电容之间,彼此又有一些显而易见的差别。主要体现在漏电流量、ESR值和寿命上。一、漏电流量;Kemet T491钽聚合物电容为9.4UA,三洋POSCAP钽聚合物电容为10.UA(漏电流量越小越好);二;ESR值,Kemet钽聚合物电容ESR值最低可达3mΩ,三洋POSCAP钽聚合物电容为5mΩ;三、寿命,Kemet T491钽聚合物电容设计寿命为150万小时,三洋POSCAP钽聚合物电容为20万小时。综上所述,三洋POSCAP(Hi-C)虽然电气性能不如KEMET的出色,但容量较大、成本低、可以使用多颗,也算是摊低了显卡的成本。合理的用料和定价,是对市场必要的妥协。

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背面有12个三洋POSCAP(Hi-C)钽聚合物电容

6相供电 迄今为止GTX560TI最高规格

通常情况下公版GTX560 Ti使用3+1相供电,而昂达GTX560神戈核心部分采用加强型4相供电设计,PWM控制芯片为Richtek的RT8841,同置驱动IC。每相配有两个全封闭电感和两上两下4个Mosfet,最高900KHz开关频率,每相可以稳定提供45A电流供应。总共4相供电,最高提供180电流,并能保持89.34%以上的电源转换效率,足以满足显卡大幅超频使用。而传统的模拟供电方案开关频率仅仅为300K Hz附近,每相仅仅稳定提供30A电流,速度、精度和集成度都有所差距。不仅如此,双电感并联还有助于增加单相可提供电流,这样整卡的输出电流就会增加,以承受GPU超频后所需要的额外电流。

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供电主控芯片RT8841性能

在显存供电部分,昂达GTX560神戈采用2相供电,每相配有一上一下2个Mosfet。显存供电部分位于PCB顶部,2相供电设计,每相1个电感,一上一下共2个Mosfet,PWM控制芯片为NEXSEM的NX2423。

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GTX560Ti神戈待机纹波电路图

上图是核心供电的纹波图,在待机状态下,昂达GTX560神戈的核心纹波仅有9.2mv,而公版在783/3800MHz频率下,核心纹波则接近20mv,相当于前者的2倍。纹波电压越低,核心获得的电流就越纯净,供电的改进和提升确实提升了显卡的稳定,也为高频乃至超频操作提供了更好的基础。

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点击可查看大图

除此之外,供电相数较多的优势还体现在功耗上。测试数据显示:虽然待机情况下,由于设定频率较高,GTX560神戈比公版显卡高3~4W,但在满载功耗上6相供电的优势就显现出来了,该显卡在公版频率下负载比普通GTX560 1GB低19-24W,下图Furmark平均温度66度的成绩,充分体现了其做工的优越性。

如果说全钽聚合物电容、贴片式设计、6相供电,玩家已经在昂达神戈系列高端显卡上“司空见惯”。那么,昂达GTX560Ti 神戈所使用的六热管、可搭载4风扇、足以与U120E、IF14等媲美的散热器效能究竟如何,以及它对于显卡散热器的整体发展究竟有何意义。笔者将在随后的文章中为大家进行介绍,敬请期待。

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