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高端显卡Style 不变的全钽电容
我们知道,GF106核心的流处理器个数是192个,定位中端,但价格中端,却不意味着做工也一定要“中端”。拆除GTS450神戈的散热器后,传统的固态电容已经不见了。输入部分为10颗美国KEMET的T491 100μF钽聚合物电容,它与MLCC陶瓷电容共同组成了12V输入端电容部分。另外在两个12V输入接口处还各有一个扼流线圈,用来辅助滤波。而黑色的钽聚合物电容为三洋的470μF POSCAP(也有厂商把它叫做Hi-c CAP)。与前者相比,它主要是用作输出端电容,正面、背面总计26颗。无论是POSCAP(HI-C)还是Kemet,其本质都是钽聚合物电容。这种电容的阳极是烧结钽,阴极是高导电性高分子聚合物。这种电容采用了导电性高分子材料,实现了更低的ESR及可靠性方面的改善,烧结钽充分发挥了钽的高介电系数特性,实现了小型电容器的大容量化。
三洋官网上可以清楚地看到PosCAP系列电容实际上就是所谓的Hi-C
与普通固态电容相比,钽聚合物电容主要有五大优点:低ESR 和低阻抗、卓越的耐高温性、更长的寿命、出色的安全性、体积小。 由于电解质不含氧原子,发生短路时不易燃烧,具有更高的安全性。与同等容量的其它电容器相比阻抗为1/3~1/10,而且相比普通固态电容,钽聚合物电容的寿命最长可达150万小时,且不会出现电解液干涸导致电容无法工作的现象。最高可承受30A以上电流的冲击,其采用的高分子材料耐热性更高,达到无铅化回流焊的温度要求,相比同容量同耐压的其他电容,体积颗减小1/3-1/10。 从钽电容具备的这些优点来看,其规格品质确实要比固态电容高出不止一个档次。在目前国内大型显卡厂商中,推出全卡使用钽聚合物电容产品的,目前只有昂达。
具体到Kemet和POSCAP这两种钽聚合物电容之间,彼此又有一些显而易见的差别。主要体现在漏电流量、ESR值和寿命上。一、漏电流量;Kemet T491钽聚合物电容为9.4UA,三洋POSCAP钽聚合物电容为10.UA(漏电流量越小越好);二;ESR值,Kemet钽聚合物电容ESR值最低可达3mΩ,三洋POSCAP钽聚合物电容为5mΩ;三、寿命,Kemet T491钽聚合物电容设计寿命为150万小时,三洋POSCAP钽聚合物电容为20万小时。综上所述,三洋POSCAP(Hi-C)虽然电气性能不如KEMET的出色,但容量较大、成本低、可以使用多颗,也算是摊低了显卡的成本。即使做工再出色的GTS450也不可能完全脱离其芯片对性能的限制,合理的用料和定价,是对市场必要的妥协。
4+2相供电 迄今为止GTS450最高规格
通常情况下公版GTS450使用3+1相供电,而昂达GTS450 1GB神戈核心部分采用加强型4相供电设计,PWM控制芯片为Richtek的RT8841,同置驱动IC。每相配有两个全封闭电感和两上两下4个Mosfet,最高900KHz开关频率,每相可以稳定提供35A电流供应。总共六相供电,最高提供210A电流,并能保持86.34%以上的电源转换效率,足以满足显卡大幅超频使用。而传统的模拟供电方案开关频率仅仅为300K Hz附近,每相仅仅稳定提供30A电流,速度、精度和集成度都有所差距。不仅如此,双电感并联还有助于增加单相可提供电流,这样整卡的输出电流就会增加,以承受GPU超频后所需要的额外电流。
在显存供电部分,昂达GTS450 1GB神戈采用2相供电,每相配有一上一下2个Mosfet。显存供电部分位于PCB顶部,2相供电设计,每相1个电感,一上一下共2个Mosfet,PWM控制芯片为NEXSEM的NX2423。
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