日本存储大厂尔必达今天宣布，全球第一款采用30nm先进工艺的4GB DDR3 SO-DIMM笔记本内存条已经开始试验性出货。

这种内存条使用了16颗DDR3 SDRAM内存颗粒，双面双列安置，总容量4GB，采用标准的240针SO-DIMM封装。

这些新型内存颗粒均采用30nm CMOS工艺制造而成，单颗容量2Gb(256MB)，数据传输率最高可达1866MHz(亦即DDR3-1866)，供电电压则是标准的1.5±0.075V，运行环境温度0-95℃。

尔必达宣称，相比于上一代40nm工艺，新的30nm工艺可将内存条的运行电流降低20％、待机电流降低30％，达到了行业新低，符合环保节能趋势，也有利于延长电池续航时间；同时新工艺生产线的整体变化不大，有利于降低生产和产品成本。

尔必达计划于2011年第一季度开始量产这种30nm 4GB DDR3内存条，可广泛用于笔记本、上网本、平板机和其他移动便携设备。