在IDF展会上，Intel宣布了全世界第一款采用90nm制造工艺的Flash Memory产品。采用了新制造工艺的产品可以有效地控制成本打开Intel在闪存市场的占有率。

依照Intel Sean Maloney的说法，Intel Wireless闪存产品由于采用了90nm制造工艺使其核心面积较上一代产品缩小了50%，这将代表着Intel将会用比原来更低的成本提高了两倍生产力。

Intel表示，新的闪存产品有4个明显的改进：1.只需要1.8V的低电压。2.具备直接编码功能。3.强大的工业设计。4.芯片内建双编码和数据储存。