我们之前曾经报道过加拿大Semiconductor Insights公司的PSX处理器调查报告，在这份报告当中，Semiconductor Insights指出SONY PSX采用的EE、GS一体化处理器实际上采用0.13微米制程，而非SONY宣称的0.09微米制程。在Semiconductor Insights报告出炉之后，SONY和东芝先后对Semiconductor Insights报告进行了反驳，SONY表示EE、GS一体化处理器采用的生产工艺遵循了ITRS定义的半导体0.09微米制程蓝图，EE、GS一体化处理器从没有采用0.13微米制程制造，即便是EE、GS一体化处理器的工程样品。不过索尼承认EE、GS一体化处理器当中EE核心部分电路，采用了比0.09微米制程稍许宽松的工艺生产，而GS核心完全采用0.09微米制程，另外索尼也承认EE、GS一体化处理器当中的嵌入式eDRAM电路还是采用0.13微米制程。

在提出对SONYEE、GS一体化处理器制程质疑之后，加拿大Semiconductor Insights公司在今天也做出相应的和解姿态，Semiconductor Insights在最新的补充报告当中承认PSX的EE、GS一体化处理器采用0.09微米制程。Semiconductor Insights表示0.09微米制程定义的电路门长是37nm，0.13微米制程定义的电路门长是70nm，而PSX EE、GS一体化处理器当中他们观察到的电路门长是45.7和47.5nm。