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台积电年投资59亿美元 阔绰度仅次于三星
2010-07-31 13:13:32  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

台积电今天宣布,2010年资本支出总额上调至59亿美元,比此前规划的48亿美元大幅增加了21%,在半导体产业内的阔绰程度仅次于三星电子。

台积电CEO兼董事长张仲谋在投资者会议上称,台积电计划将投资总额中的58亿美元用于自己最核心的晶圆厂代工业务,其中79%用于65/40/28nm工艺的拓展、13%用于主流工艺、8%用于设备和研发支出,剩余1亿美元则用于太阳能、LED等新兴业务。

台积电的第三座12英寸(300毫米)晶圆厂Fab 15已于近期正式破土动工,Fab 12第五阶段和Fab 14第四阶段的扩建也即将完成。这些12寸厂将成为台积电的主心骨。

张仲谋还说,台积电预计半导体产业和代工业今年会分别增长30%、40%,高于此前估计的22%、36%。

根据最新财报,台积电今年第二季度(截至2010.6.30)总收入1049.6亿新台币(222.5亿元人民币),净利润402.8亿新台币(85.4亿元人民币),摊薄每股收益1.55新台币(0.33元人民币),分别同比增长41.4%、64.8%,环比增长13.9%、19.7%,同时毛利率49.5%、运营利率38.6%、净利率38.4%。

台积电预计第三季度收入1090-1110亿新台币,比此前预计的提高了4-6%,毛利率48-50%,运营利润36-38%。

在台积电的各种制造工艺中,150nm或更老工艺的比例仍有28%,相比上个季度只减少了一个百分点,130/110nm、90/80nm、65/55nm则都保持不不变,仍为13%、16%、27%,而最新的40nm工艺增速减缓,只提高了一个百分点达到16%,不过新工艺的收入却环比增加了30%,高于整体水平。

 
Q1 2009 Q2 2009 Q3 2009 Q4 2009  Q1 2010 Q2 2010
150nm+ 35% 35% 33% 30% 29% 28%
130/110nm 16.66% 13% 14% 15% 13% 13%
90/80nm 25% 23% 18% 16% 17% 16%
65/55nm 23% 28% 31% 30% 27% 27%
40nm 0.33% 1% 4% 9% 14% 16%

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