三星和东芝今天共同宣布，双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存，即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准，被业界广泛接受使用。

最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND闪存的10倍。

高速闪存接口的优势不言而喻，未来将主要用于移动设备、消费电子产品以及固态硬盘等领域，大大提升存储性能。三星和东芝表示，上个月他们已经开始通过JEDEC固态技术协会推动toggle DDR 2.0技术标准化。