昨天东芝刚刚宣布动工建设一座新NAND闪存晶圆厂，今天就有消息传出，Intel和美光计划在年底前重新启动新加坡合资晶圆厂的建设。看来，全球NAND闪存需求量的迅速扩大已经让众多厂商都看到了商机。不过，多家新厂投入量产也可能给2011年的闪存芯片价格带来压力。

Intel和美光最早于2006年底宣布，将在新加坡新建一座12英寸NAND闪存晶圆厂，计划在2008年下半年投入量产。不过由于全球经济形势和闪存价格走势的影响，这一计划后来被推迟。现在，由于智能手机、固态硬盘等应用对闪存需求量的快速扩大，Intel、美光闪存联盟对闪存市场的后市持乐观态度，因此决定重启这一扩产计划。

除了东芝已经宣布的新厂建设计划和Intel、美光的新厂方案，三星电子今年5月也已经宣布将新增一条DRAM/NAND生产线，预计2011年投产。在这些大厂纷纷扩产的影响下，预计明年市场上的闪存供应量将有幅度不小的增加。