正文内容 评论(0

Intel继续提高缓存密度 FBC有望取代SRAM
2010-06-18 15:37:56  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

由于架构方面的需要,Intel处理器通常都配备有大容量缓存,比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二级缓存、双核心Itanium曾有24MB三级缓存。现在,Intel又准备继续提高缓存密度了,而且有意使用新的缓存类型。

2010年度超大规模集成电路技术研讨会即将于下月5-7日举行,Intel将会通过两个主题演讲,介绍他们在处理器缓存技术上的最新研究成果,特别是有望取代现有SRAM的“浮体单元”(Floating Body Cell/FBC)。

SRAM和eSRAM是目前最常用的两种嵌入式内存,其中前者有六个晶体管,体积较大,但速度非常快,制造难度也很低,而后者每个单元只有一个晶体管和电容器,体积小了,速度却也慢了,制造也很困难。FBC就是集这两种技术之长于一身,每单元仅有一个晶体管,比SRAM轻巧很多,同时速度又比eSRAM更快,制造也相对简单。

据了解,Intel已经成功制造了22nm新工艺FBC存储器,而且使用的是非常适合大批量生产的Bulk晶圆,相比此前试验使用的SOI晶圆在成本上低廉很多。

另一份论文中,Intel还描述了如何在一个FBC存储器的后栅(back gate)中选择性地掺入杂质而不影响设备的其他部分,从元件尺寸看难度相当大。

除了Intel,伯克利和东芝也都在致力于FBC技术的研究,但实现方法和Intel有些不同。

Intel继续提高缓存密度 FBC有望取代SRAM

 

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:

  • 支持打赏
  • 支持0

  • 反对

  • 打赏

文章价值打分

当前文章打分0 分,共有0人打分
  • 分享好友:
  • |
本文收录在
#快讯

  • 热门文章
  • 换一波

  • 好物推荐
  • 换一波

  • 关注我们

  • 微博

    微博:快科技官方

    快科技官方微博
  • 今日头条

    今日头条:快科技

    带来硬件软件、手机数码最快资讯!
  • 抖音

    抖音:kkjcn

    科技快讯、手机开箱、产品体验、应用推荐...