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由于架构方面的需要,Intel处理器通常都配备有大容量缓存,比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二级缓存、双核心Itanium曾有24MB三级缓存。现在,Intel又准备继续提高缓存密度了,而且有意使用新的缓存类型。
2010年度超大规模集成电路技术研讨会即将于下月5-7日举行,Intel将会通过两个主题演讲,介绍他们在处理器缓存技术上的最新研究成果,特别是有望取代现有SRAM的“浮体单元”(Floating Body Cell/FBC)。
SRAM和eSRAM是目前最常用的两种嵌入式内存,其中前者有六个晶体管,体积较大,但速度非常快,制造难度也很低,而后者每个单元只有一个晶体管和电容器,体积小了,速度却也慢了,制造也很困难。FBC就是集这两种技术之长于一身,每单元仅有一个晶体管,比SRAM轻巧很多,同时速度又比eSRAM更快,制造也相对简单。
据了解,Intel已经成功制造了22nm新工艺FBC存储器,而且使用的是非常适合大批量生产的Bulk晶圆,相比此前试验使用的SOI晶圆在成本上低廉很多。
另一份论文中,Intel还描述了如何在一个FBC存储器的后栅(back gate)中选择性地掺入杂质而不影响设备的其他部分,从元件尺寸看难度相当大。
除了Intel,伯克利和东芝也都在致力于FBC技术的研究,但实现方法和Intel有些不同。
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