东芝公司今天发布了容量达到128GB的嵌入式NAND闪存模块产品，创下了全球嵌入式闪存容量的新纪录。该闪存模块符合最新eMMC标准，主要面向智能手机、平板机、数码相机等消费电子产品。

该闪存颗粒采用堆叠式封装技术，将16颗32nm工艺64Gbit（8GB）闪存芯片以及一颗控制器芯片，共17层封装在同一颗粒中，尺寸仅有17x22x1.4mm。东芝也是全球第一家实现16层64Gbit闪存堆叠封装的厂商。

该颗粒采用153Ball FBGA封装，核心电压2.7V到3.6V，接口电压1.65V到1.95V/2.7V到3.6V。最高读取速度55MB/s，写入速度21MB/s，总线宽度x1/x4/x8。

除128GB容量版本外，东芝还会同时提供64GB版本。64GB版8月份出货样品，128GB版样品9月上市，今年四季度实现量产。