日立万胜（Hitachi Maxell）公司日前与东京工业大学共同宣布，已经成功开发出了一套高密度磁带存储制膜技术。应用该技术的磁带将实现45.0Gb/in2的超高存储密度，标准尺寸磁带的单卷容量将因此跃升至50TB，是目前市场上最大容量LTO Ultrium 5磁带的33倍。

尽管民用市场上的大容量存储技术已经开始从磁盘向固态存储过渡，但在大容量、长期存档等行业存储领域，磁带机依然有其生存空间。并且由于磁带存储的节能特性，在绿色经济时代甚至还有更大的发展机会。

和硬盘一样，为增大磁带机的存储容量，提升磁带上磁介质的密度是一项关键。不过，对于已经进入纳米级尺度的磁粉微粒来说，进一步提升密度谈何容易。此次的技术突破分为两方面，一方面是万胜的磁介质设计、评估技术，另一方面则是由东京科技大学物理电子学系副教授Shigeki Nakagawa研发的“相面对靶溅镀”技术。该技术可以在常温下，将直径不足10纳米的磁介质，均匀溅镀在4.5微米厚的基膜上，形成一层极薄的致密磁介质膜，存储密度45.0Gb/in2，从而有望造出50TB单卷的超大容量磁带。

日立万胜公司和东京工业大学已经在本周日本仙台举行的垂直磁存储技术会议上公布了该技术论文，不过距离实际应用显然还有不短的距离。