Intel与美光的合资企业Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示，采用25nm新工艺的NAND闪存芯片已经开始批量出货，相信不久后我们就能够看到采用该颗粒的固态硬盘、U盘、存储卡等产品。

Intel和美光今年2月宣布开始试产25nm工艺闪存，这一制程据称比竞争对手至少领先一年。近日首先量产的25nm颗粒为8GB（64Gb）容量MLC NAND闪存，采用沉浸式光刻技术，核心面积167mm2。支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s，页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB，块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面，读写性能预计将有显著提升。

IMFT生产的闪存芯片有49％供给Intel及其客户、51％供给美光及其客户。预计我们将在今年下半年看到Intel采用该颗粒的新品X25-M系列固态硬盘，美光的RealSSD系列固态硬盘相信也会在不久后更新。