据报道，三星今天宣布他们已经研发出业界首个用于SD存储卡的20nm级工艺32Gb NAND闪存芯片。

三星称，和30nm级MLC NAND闪存芯片相比，新研发出的20nm级32Gb闪存芯片产能上可提升50%，基于该芯片的SD卡写入速度提高30%至10MB/s，读取速度20MB/s。与此同时，新工艺芯片在采用尖端处理工艺、设计和控制器技术后，耐用性上与30nm级相当。

2009年3月，三星率先生产30nm级32Gb NAND闪存芯片。目前，他们也已经开始出货基于20nm级32Gb NAND闪存芯片的SD存储卡样品，新卡的容量在4GB-64GB，预计今年晚些时候实现量产。

三星表示，新20nm级32Gb NAND闪存芯片日后还将用于高性能存储卡、智能手机和高端IT应用。