支持四通道RDRAM 内存，强劲超越50%的内存性能

RDF, 台北, 2003年11月6日 –核心逻辑芯片组领导厂商矽统科技(SiS)、内存芯片制造商龙头三星电子(Samsung)与全球内存接口领导厂商Rambus今日共同宣布SiSR659芯片组顺利量产并全面上市。SiSR659系针对高性能计算机运算暨多媒体游戏市场所设计的尖端产品，非但具备目前市面上最高的内存性能，同时也是第一颗搭配动态预测快取（Dynamic Look-ahead Buffer） 及可变页面管理（Adaptive Page Management）的计算机芯片组，显著的改善内存存取速度。

“SiS R659可以说是台式机市场上，优异性能与完善规格的绝妙组合。” 矽统科技总经理陈灿辉表示：“矽统和Rambus持续开创支持RDRAM的产品，积极强化计算机运算的表现。”

SiSR659为了在多种应用程序上达到最佳性能，除了支持Pentium® 4处理器800MHz 前端总线，并搭配最新研发推出的Advanced HyperStreaming™ Engine (AHSE) 作为系统架构，达到延迟最小化，数据存取加速及性能大幅提升。

“支持四通道RDRAM的矽统芯片组与三星高密度RDRAM颗粒的搭配，提供个人计算机代工厂商及系统整合厂商高度竞争力，且最能展现高性能PC的产品。”三星电子内存事业处郑泰圣副总经理表示。

进入量产阶段的SiSR659，不仅支持四通道1200MHz RDRAM内存，并且可将内存带宽提升至每秒9.6Gbyte。

“藉由四通道的架构，RDRAM内存再度成为PC计算机的性能翘楚，相较于双通道DDR内存，足足高出50% 之多，” Rambus内存部门副总裁萝拉‧ 史塔科(Laura Stark) 表示：“SiSR659 芯片组展现另一个创新的典范，Rambus与 矽统科技及内存供货商再次共同向前推进个人计算机运算处理的境界。”

SiSR659 芯片组搭配市面上业界支持的标准 RIMM模块，再创内存性能新高。这款矽统最新的RDRAM 解决方案，由北桥芯片SiSR659搭配南桥芯片 SiS964，整合USB 2.0连接埠，及 S-ATA的快速功能。