富士通微电子公司日前宣布，已经成功开发出一种NOR型闪存新技术，可提高闪存读取速度，并同时降低工作电流。

富士通在NOR型闪存中，引入了其专利FCRAM（Fast-Cycle Random-Access Memory高速访问随机存储）中的电路元素，从而实现了高速低功耗和高可靠性。这种新型NOR闪存可将访问速度提高2.5倍达，访问时间仅10ns，同时工作电流降低三分之二达到9µA。通过在嵌入式设备中应用这项技术，便携音视频设备将有望改进性能，同时延长电池续航时间。

富士通表示，将以这项NOR闪存新技术为核心，结合高可靠性、高耐热性、高性能等技术，应用于汽车电子、工控设备以及消费电子产品中的嵌入式微控制器产品中。