海力士宣布2Gb低压DDR2内存芯片--快科技--科技改变未来

海力士宣布2Gb低压DDR2内存芯片

2010-01-14 09:46:19 出处：快科技作者：以军编辑：以军评论(0)

继尔必达后，海力士今天也宣布了2Gb低压DDR2 DRAM内存芯片，主要针对智能手机、平板机和智能本市场。

该芯片工作采用40nm制程工艺，电压仅为1.2V，频率1066MHz，带宽4.26GB/s，采用POP层叠堆装和MCP多芯片的封装方式，功耗相比先前推出内存颗粒降低50%，符合JEDEC标准规范。

海力士计划在上半年开始量产该内存芯片，以满足市场对高密度移动DRAM颗粒的需求。海力士在2008年还宣布了业界首个50nm 2Gb移动DRAM颗粒。

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