三星电子今天宣布，推出两款针对移动设备的大容量存储方案，包括一款容量高达64GB的moviNAND闪存芯片以及一款32GB的MicroSD存储卡，均使用了“30nm级”闪存，但并未透露具体是34nm还是其他3x nm工艺。

三星表示，其业界容量最大的64GB moviNAND闪存颗粒厚度仅为1.4mm，但其内部实际上是由17层厚度仅为30微米的芯片堆叠封装而成，包括16层“30nm级”32Gb MLC NAND闪存颗粒以及一层专用控制器。该颗粒采用了三星专利的moviNAND嵌入式闪存技术，可提供64GB、32GB、16GB、8GB和4GB容量。

同时宣布的这款32GB MicroSD卡采用9层堆叠封装，包括8层32Gb闪存和一层控制器，而该卡厚度仅为1mm，而插入手机内的部分实际厚度仅为0.7mm。

三星称，64GB moviNAND闪存已从去年12月开始量产，而32GB MicroSD卡则从即日起开始向OEM厂商提供样品，下月量产。