据报道，来自台湾NAND闪存设备制造商的消息称，海力士下半年的41nm/48nm NAND闪存芯片出货量将达到上半年的2倍，这也多少缓解了业界对明年NAND芯片供应短缺的担心。

海力士早些时候将NAND闪存向40nm工艺升级时遇到了一些麻烦，使得下游客户纷纷从其它芯片供应商那里进货，不过外界推测三星将把更多的NAND闪存供给了他们新推的品牌产品，使得下游制造商们的货源选择捉襟见肘。

台湾NAND闪存设备制造商们认为，海力士的增产将对他们非常有利，他们也正在积极存货为明年做准备。

根据调研公司DRAMeXchange的最新报告，海力士第三季度在NAND闪存市场的份额从第二季度的9.4%下降至8.7%，跌出了全球三甲的行列。