Intel及其与意法半导体组建的合资公司Numonyx B.V.(恒忆半导体)联合宣布，他们已经在相变存储(PCM)技术领域取得了关键性重大突破。

相变存储是一种非易失性存储技术，速度和功耗都优于NOR和NAND闪存，又不像RAM那样存在易失性(断电即丢失数据)，因此前景广为看好。Intel已经在该领域潜心研究了很多年，Numonyx公司就是专门为此成立的，三星也已经开始量产相变存储芯片。

研究人员们近日首次展示了一种64Mb容量的测试芯片，可以在单个内核(Die)里堆叠或放置多层相变存储阵列，从而为开发大容量、低功耗、优化空间利用的非易失性存储应用铺平了道路。

利用这种技术，Intel和Numonyx开发了名为相变存储与切换(phase change memory and switch/PCMS)的垂直整合存储单元，由一层相变存储元件和一个新的薄膜双向阈值开关(OTS)以交叉点阵列的方式组合而成，然后再加上CMOS电路。

这样一来，就可以在保证相变存储性能特性的同时大大提高其存储密度，满足实用需要，而这正是传统存储技术面临的越来越严峻的挑战。

2009年国际电子设备会以将于12月9日在美国马里兰州巴尔的摩市举行，Intel、Numonyx届时会发表联合论文“可堆叠交叉点相变存储”，深入介绍该技术的细节情况。