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首款34nm闪存SSD硬盘 英特尔X25-M 160G RAID0评测
2009-09-07 17:41:50  出处:快科技 作者:良宵 编辑:良宵     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

[导言]

跟随着摩尔定律,计算机硬件性能一直保持了高速发展,但惟有存储技术始终没有太大突破,传统的机械式硬盘一直沿用着古老的“温彻斯特”结构,在其他组件的速度持续提高的形势下,硬盘速度已经越来越凸显成为系统性能瓶颈。

首款34nm闪存SSD硬盘 英特尔X25-M 160G RAID0评测

随着去年9月Intel发布全球首款SSD固态硬盘产品,这一瓶颈得以突破,本站曾在第一时间通过《崭新的时代 Intel原厂固态SSD硬盘抢先评测》一文为大家做了详细介绍。无可否认SSD固态硬盘无论在性能还是稳定性方面较传统机械式硬盘拥有无可比拟的优势,然而自首款SSD推出至今的一年时间里,传统机械式硬盘依然占据着主流消费市场,虽然期间各大厂商均推出了不少各具特色的SSD产品,但是SSD固态硬盘依然无法得到全面普及,阻碍其全面普及的因素主要有两方面:容量和价格,只有不断的缩小与传统机械式硬盘容量及价格上的差距,才能为SSD固态硬盘的全面普及铺平道路。

首款34nm闪存SSD硬盘 英特尔X25-M 160G RAID0评测

前不久Intel正式发布了全球首批基于34nm MLC NAND闪存新工艺的固态硬盘。从50nm进化到34nm,从技术角度上是更小的核心面积和更高级的工程设计,对消费者来说则是更低的价格:新旧产品之间的差价幅度最高超过60%。首批34nm固态硬盘只有2.5寸主流系列X25-M,容量仍保持在80GB和160GB,但改用了新的控制器和固件,性能因此大有提升,比如读取延迟从85微秒缩短到65微秒,写入延迟从115微秒缩短到85微秒,4KB随机读取IOPS 35000、写入6600(80GB)/8600(160GB),抗冲击力也从1000G/0.5s提高到1500G/0.5s,不过持续读写速度仍为250MB/s和70MB/s。在功耗方面,34nm X25-M的负载功耗保持150mW不变,但因为新控制器的缘故,待机功耗从60mW增加到了75mW,新控制器采用了无卤素工艺,因此也较上一代产品更为环保。

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