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Intel 34nm X25-M固态硬盘对比拆解、性能实测
2009-07-23 15:40:55  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接
AnandTech今早收到了一份联邦快递,打开之后是这个:

Intel 34nm X25-M固态硬盘对比拆解、性能实测

没错,就是Intel刚刚发布的34nm工艺第二代固态硬盘X25-M(下称X25-M G2)。下边我们对比第一代50nm工艺产品(下称X25-M G1),看看内外部构造和读写性能有何不同。

从外表上看,X25-M G2抛弃了此前的黑白两色方案,改为银色和白色,据说更加环保

Intel 34nm X25-M固态硬盘对比拆解、性能实测

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X25-M G2的四周边框上还加装了塑料垫圈(高科技塑料圈),用于安装在9毫米2.5英寸驱动位,拧下四周的螺丝将其拿掉后可安装在7毫米2.5寸驱动位里。

Intel 34nm X25-M固态硬盘对比拆解、性能实测

今天对比的两款X25-M都是160GB容量,但内部构造大为不同。50nm X25-M G1 PCB正反两面各安装了10颗MLC NAND闪存芯片(编号“29F64G08FAMC1”),单颗容量8GB,而34nm X25-M G2的单颗芯片容量翻番到了16GB(编号“29F16B08JAMD1”),因此只在正面安装了10颗,背面留空。很显然,一旦Intel和美光联合投资的34nm NAND生产线完全开工,Intel就可以再放上去10颗芯片,推出320GB型号。

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装有控制器的正面大同小异,但X25-M G1在闪存芯片和控制器周围使用的黑胶状物体也不见了,但还不清楚这东西的具体用途,可能是一种保护措施,也可能是辅助散热手段。

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X25-M G2使用了新控制器,编号从“PC29AS21AA0”改为“PC29AS21BA0”,不过物理封装没有任何变化。

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板载缓存变化不小,之前用的是三星16MB 166MHz SDRAM (CAS3),现在则改成了美光32MB 133MHz SDRAM (CAS3)。很奇怪,容量上去了,速度却下来了。

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控制器是固态硬盘的核心部件,但Intel的一直都是只为自己所用,不像三星、Indilinx那样授权卖给其他厂商。以下就是市面上常见的一些固态硬盘和控制器:

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Intel正式发布34nm新工艺固态硬盘 降价60%

衡量固态硬盘性能的指标一般有四个,随机读取、随机写入、持续读取和持续写入,其中前两项表现在大量小文件(比如4KB)的处理上,后两项则对应大文件处理(比如蓝光电影)。一块优秀的固态硬盘必须在这四方面都表现不俗,但事实上很难,大多都是只有部分指标很好,

本次测试使用的工具是IOMeter,并争取不放过硬盘上的每一个LBA和Page。

Intel 34nm X25-M固态硬盘对比拆解、性能实测

持续读取速度:应该是受制于SATA 3Gbps,X25-M G2/G1在这方面表现基本没有差别,看来只能期待SATA 6Gbps尽快普及了。

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持续写入速度:这个一直是MLC NAND闪存型的X25-M和(X18-M)系列的软肋,新款提升了7%但仍远远落后于其他固态硬盘,即使相比西部数据VelociRaptor 300GB也相差甚远。

不过另一方面,SLC NAND闪存型的企业级X25-E 64GB的成绩是最好的。

Intel 34nm X25-M固态硬盘对比拆解、性能实测

随机读取速度:Intel固态硬盘在应付小文件随机读写方面得心应手,此番有了10%的提升后,X25-M G2已经超过了X25-E,以58.5MB/s高居第一。对比其他厂商的MLC型固态硬盘,X25-M G2最少也能领先50%。

传统机械硬盘在这个问题上就完全拿不出手了,即使西数VelociRaptor 300GB也只有可怜兮兮的0.68MB/s,相当于X25-M G2的一个零头。

Intel 34nm X25-M固态硬盘对比拆解、性能实测

随机读取延迟:和随机读取速度是一脉相承的,X25-M G2再次跃升第一,只有0.2ms,而西数硬盘高达17.3ms,不得不从图表中移除。

Intel 34nm X25-M固态硬盘对比拆解、性能实测

随机写入延迟:X25-M G2大幅提升了将近40%再次超过X25-E,而基于三星或Indilinx控制器的其他固态硬盘完全被甩开。

小结:

第一代50nm X25-M发布之初就给我们留下了深刻的印象,成为固态硬盘领域的一个标杆,现在升级到34nm之后更是有了近乎全面的提升(0-40%),拉大了与同类产品的距离。唯一遗憾的就是持续写入性能依然太弱,连机械硬盘都赶不上。

当然这里只是理论性能测试,实际应用中根据环境不同估计提升幅度会在0-10%。

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