IBM半导体研发联盟看来又要扩军了，东芝近日联合NEC宣布他们将携手IBM共同研发基于High-K金属栅极技术的28nm低耗能芯片。28nm工艺有助于高性能、低功耗芯片的制造，而这些芯片会用于未来移动工具和电子消费品。

NEC资深副总裁Masao Fukuma表示：“与先前的40nm工艺相比，先进的28nm低耗能处理技术能显著的提高芯片密度和性能，能耗也大大降低，产品更具竞争力。我们将首先向市场推出SoC片上系统平台产品，不辜负消费者的期望。”

28nm芯片的计划发布时间尚未透露，但东芝表示他们会从2010年4月份开始生产这种芯片。