日前在日本京都举行的VLSI超导规模集成电路论坛上，AMD拆分出的GlobalFoundries公司联手IBM，展示了一项半导体制造新技术，有助于尽快实现22nm甚至更先进制程。

该技术将用于High-K金属栅极工艺当中，采用新方法降低晶体管中的等效氧化层厚度（EOT），使其能够满足22nm工艺的需求。在会上，IBM和GlobalFoundries展示了EOT厚度仅有0.55nm的n-MOSFET晶体管和EOT仅为0.7nm的p-MOSFET。未来该技术将在IBM纽约州工厂以及GlobalFoundries的德国德累斯顿、美国纽约州工厂得到应用，部署在32nm、28nm、22nm甚至更先进的制程工艺当中。

在VLSI论坛上发表的另一篇论文当中，IBM技术同盟厂商包括IBM、GlobalFoundries和飞思卡尔，还展示了他们在32nm SOI High-K金属栅极工艺上的新进展。