三星公司表示，计划近期出货512MB PRAM相变存储芯片样品，并于6月份在其200mm晶圆厂实现量产。

PRAM（Phasechange Random Access Memory相变随机存储器）是一种被寄予厚望的未来存储技术，其每一个存储单元在被加热时呈晶体状表示1，反之则为非晶体表示0。PRAM可以替代现有的DRAM计算机内存，而由于其非易失性，业内厂商又把它看作是NOR型闪存的替代者。

相比闪存，PRAM在写入新数据前不需要执行擦除原数据的步骤，因此读写速度是普通闪存的30倍，同时其擦写寿命也是闪存的10倍。

三星最早于2005年展示了PRAM相变存储样品，Intel也长期投资这一领域的开发。三星PRAM量产后，预计会首先应用在手机和其他掌上设备中，利用其速度优势明显提升掌上设备性能。