东芝今天宣布，于业界首家开始出货32nm工艺NAND闪存颗粒。其中，全球首颗32nm工艺32Gb（4GB）NAND单芯片样品即日起出货，主流容量16Gb（2GB）颗粒样品将于今年7月推出。

东芝表示，首批32nm NAND闪存将主要用于存储卡和USB存储设备，未来会扩展到嵌入式产品领域。目前，东芝是全球领先的32GB闪存供应商，使用8颗43nm工艺32Gb颗粒堆叠而成。而32nm工艺的应用将进一步提高生产效率，减小芯片体积，适应更高容量，更小巧的掌上产品需求。

东芝的32nm工艺32Gb NAND颗粒将于今年7月开始量产，比原计划提前两个月，16Gb产品则会在今年四季度量产。32nm产品都将在东芝位于日本四日市的工厂内制造。

 
东芝四日工厂