台积电、联电0.13微米制程订单如雨后春笋般涌现，台积电现有0.13微米制程产能利用率持续满载，且产能扩充脚步追不上订单增加量，产能缺口不断扩大；联电在Xilinx、德仪（TI）通讯用DSP芯片急单陆续确认下，现有12吋Fab 12A产能利用率可望在第三季底提升到95％以上，并逐渐迈向产能满载之路。

　以目前2晶圆厂0.13微米制程以下接单热度来看，产能满载状况至少可延续到第四季，加上近期陆续添购的高阶制程新设备机台，从参数调整到客户认证，实际进入量产时间约6~9个月，因此，2晶圆厂内部预估，在0.13微米制程产能扩充缓不济急情况下，产能利用率满载情况可望延续到2004年上半之后。

　联电2003年第二季0.13微米制程占营收比重约6％，主要受到德仪DSP芯片下单量下滑所致，联电12吋厂产能利用率一度下滑到60％以下，不过，在手机市场库存去化逐渐告一段落后，德仪对联电0.13微米制程下单量已回到正常水准，另外，部份绘图芯片订单也回流到联电。

　联电在0.13微米产能配置，由8吋晶圆厂Fab 8D陆续移转到12吋厂Fab 12A，联电预估，第三季Fab 8D厂投片量约6万片，较前季微幅下滑4.7％，Fab 12A投片量则持续上扬到5.8万片，较第二季成长7％。

　上游设备商预估，联电0.13微米制程接单量攀升，带动Fab 8D厂产能利用率提升到65～70％水准，而12吋厂产能利用率将大幅提升到95％以上。

　至于台积电部份无线通讯领域客户，自2003年第二季将0.15微米提升到0.13微米制程，加上NVIDIA与ATi两大绘图芯片客户高阶制程投片比重，提升到占整体下单量50％以上，成为带动台积电高阶制程产能需求暴增的主因。另一方面，通讯设备市场复苏，带动Broadcomm等芯片供货商同步提高高阶制程下单量，更加深台积电产能供应不足。

　台积电近期对上游扫描机、曝光机设备商提出2003年底前扩充规划，预估12吋厂Fab 12现有单月2.5万片产能，2003年底前提高到超过3.5万片，至于原先规划增加12吋生产线的Fab 7，仍是优先备用厂房首选。晶圆厂内部认为，产能扩充速度无法追上客户提升制程脚步，0.13微米以下制程产能缺口至少将延续到2003年底。

　根据2晶圆厂第二季法人说明会公布，2晶圆厂新资本支出将集中在0.13微米以下制程。上游设备商表示，台积电对0.13微米制程设备询价频度，从一季一次提高到一个月一次，同时也对曝光机、扫描机台等供货商陆续开出具体交货时间需求；至于联电已开始添购0.13微米制程曝光机，作为扩充Fab 12A产能之用。