正文内容 评论(0

美光34nm八芯片堆叠封装16GB闪存出样
2009-02-16 15:50:59  出处:快科技 作者:Skyangeles 编辑:Skyangeles     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

美光公司上周末宣布,推出业界存储密度最高的多芯片堆叠封装(MCP) NAND闪存产品,在一颗手机闪存芯片内堆叠封装8块芯片,总容量超过16GB。

该方案在一颗芯片中,封装了以下组件:

• e-MMC闪存系统,包括一个控制器和四颗32Gb 34nm MLC闪存颗粒,可以为手机提供高达16GB的大容量存储空间,省去外部存储卡插槽。

• 2Gb低功率DDR DRAM,工作电压1.8V,为手机提供256MB内存空间。

• 2Gb高速SLC NAND闪存颗粒,256MB空间用来存储和执行关键代码和应用。

手机厂商只需要在电路板上安装这一颗芯片,就可以得到256MB内存,256MB高速SLC闪存和16GB MLC闪存,相比之前的多芯片方案最高可节约40%的空间,方便设计出体积小巧,同时性能、功能仍十分强大的新款手机产品。

美光表示该16GB MCP方案已经开始向包括华硕在内的几家手机厂商提供样品,本季度内投入量产。同时,4GB、8GB等容量稍小的堆叠封装产品则已经开始量产。

美光34nm八芯片堆叠封装16GB闪存出样

 

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:

  • 支持打赏
  • 支持0

  • 反对

  • 打赏

文章价值打分

当前文章打分0 分,共有0人打分
  • 分享好友:
  • |
本文收录在
#快讯

  • 热门文章
  • 换一波

  • 好物推荐
  • 换一波

  • 关注我们

  • 微博

    微博:快科技官方

    快科技官方微博
  • 今日头条

    今日头条:快科技

    带来硬件软件、手机数码最快资讯!
  • 抖音

    抖音:kkjcn

    科技快讯、手机开箱、产品体验、应用推荐...