2009年2月11日，中国━全球领先闪存供货商SanDisk®（NASDAQ:SNDK）宣布即将大量生产基于领先业界的多层单元 (Multi-Level Cell，简称MLC) 科技的全球首项高效能4-bits-per-cell (X4) 闪存。该项突破性科技采用43纳米技术，支持64GB单内存芯片，以业界最高的内存容量满足日新月异的内存应用程序。另外，SanDisk生产了全新的X4控制器，从而对X4 内存复杂性及性能表现进行必要及有效的管理。 该X4 内存芯片及X4控制器芯片，共同结合于多芯片内存模块(Memory Multi-Chip Package，简称MCP)内，提供全面、 整合及低成本的内存方案。

SanDisk内存科技及产品研发高级副总裁Khandker Quader表示：“作为闪存发展的里程碑，X4 内存及控制器技术不但为SanDisk 带来长远重大的裨益，更为未来NAND 闪存技术的提升扮演重要角色。64GB X4是多项重大发明汇聚的成果，彰显了SanDisk 在推进高性能、低成本multi-bit 闪存上的优势，适用于占用大量存储空间的音乐、电影、相片、GPS及计算机游戏等应用程序。”

X4 闪存突破性发展
SanDisk一直与东芝公司合作发展及生产先进的闪存，本次还共同在43 纳米技术上研发出了64GB X4闪存技术。全新的43nm 64GB X4芯片是世上容量最高及密度最大的闪存模块，并于今年投入生产；对比现代的多层式芯片技术，43nm 64GB X4芯片写入速度提升至每秒7.8MB。SanDisk专利All –Bit-Line (简称ABL) 架构及最近面世的三步程序 (three-step programming，简称TSP)及顺序意式概念(sequential sense concept ，简称SSC)是X4卓越表现的主要元素。　

X4 控制器科技是关键
SanDisk研发了多项先进系统管理的创新应用程序，以解决4-bits-per-cell的复杂技术所带来的问题。由SanDisk研发及拥有的X4控制器，利用首个专为储存系统而设的纠错码 (error correcting code，简称ECC) ，并支持4-bits-per-cell所需的16层分配模式。

SanDisk 未来科技及创新部副总裁Menahem Lasser表示：“生产具卓越表现及低成本的4-bits-per-cell技术最根本的挑战是在多层式储存上实现先进系统创新，幸而我们的X4控制器技术配合内存管理及单一处理系统能完全符合4-bits-per-cell内存的独特需求，并显示出SanDisk把复杂的内存应用程序概念化及投入生产的卓越能力。”

SanDisk和东芝公司今天在2009国际固态电路大会（ISSCC）上发布了一份技术论文，阐述了在研发43纳米科技上的64Gb 4-bits-per-cell NAND闪存的突破性技术。此项重要发布距离SanDisk在2008国际固态电路大会上推出的X3 (3-bits-per-cell NAND)技术只有一年，并荣获该会议2009刘易斯优秀论文奖（Lewis Winner Outstanding Paper Award）。 

• 闪存最高容量支持64GB单内存芯片
• 效能媲美现今的MLC科技
• 64GB X4基于SanDisk成熟的43纳米技术，预计于2009年上半年投入生产